TLP250

https://www.ram-e-shop.com/web/image/product.template/6778/image_1920?unique=db1f71f

Power MOSFET & IGBT Gate Driver

75.00 EGP 75.0 EGP 75.00 EGP

75.00 EGP

Not Available For Sale

هذه التركيبة غير موجودة.

 متاح للشراء مباشرة من فرع رام للالكترونيات
 متاح خدمة الشحن للمنتج خلال 2-3 ايام عمل


مرجع داخلي: TLP250

The TOSHIBA TLP250 consists of a GaAlAs light-emitting diode and an integrated photodetector. 

This unit is an 8−lead DIP package. 

TLP250 is suitable for gate driving circuits of IGBT or power MOS FET. 

  • Input threshold current: IF=5mA(max.) 
  • Supply current (ICC): 11mA(max.) 
  • Supply voltage (VCC): 10−35V 
  • Output current (IO): ±1.5A (max.) 
  • Switching time (tpLH/tpHL): 1.5µs(max.) 
  • Isolation voltage: 2500Vrms(min.)

Download